MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251

MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251 (TSM60NB1R4CH C5G)

Part Number: TSM60NB1R4CH C5G

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 900mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 7.12nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 257.3pF @ 100V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 28.4W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: TO-251 (IPAK)
  • Корпус: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Цена по запросу